台积电开始3纳米晶片量产并扩充产能 期待破除“去台化”谣言 

全球芯片巨头台积电（TSMC）星期四(12月29日) 在台湾南部科学园区(南科)晶圆18厂新建基地举办其最先进的三奈米量产暨扩厂典礼。台积电董事长刘德音表示，将深耕台湾，继续在台扩大产能，二奈米芯片落脚在新竹及台中的科学园区，共六期工程都在持续计划中。台积电的这一举动有助于破除半导体“去台化”的传闻。此前，台积电前往美国扩厂，引起台湾一些人质疑“掏空台湾”。 

刘德音还表示，台积电位于竹科的全球研发中心明年第二季将正式运营，预计进驻8000位研发人员。二奈米厂将落脚竹科及中科，将有六期工程，将持续进展中。

报道说，行政院副院长沈荣津、经济部部长王美花、国科会主委吴政忠、台南市长黄伟哲、南科管理局局长苏振纲及成功大学校长苏慧贞等人到场致意。受邀官员致词时都提到“去台化”议题。

沈荣津与王美花也力挺台积电。沈荣津表示，台积电把先进制程留在台湾，破除半导体去台化谣言，政府将全力巩固半导体产业竞争力。王美花也强调，台积电总裁魏哲家过去谈及去台化时说“门都没有”，而外界现今则可以看到，厂房都已经在盖了。 此前对于赴美投资引发的“去台化”、掏空台湾的疑虑，台积电总裁魏哲家不久前在交大及玉山科技两场论坛演讲时，都以“门都没有”回应。他表示，半导体产业用的是脑力，在大部分国家都有工程师不足情况。不是工厂搬到哪个地方，那个地方就会发展茂盛。

台积电今年12月6日在美国亚利桑那州的首座晶片厂举行移机仪式，将于2024年开始量产，并决定扩大在美国的投资。美国总统拜登、董事长刘德音、创办人张忠谋都出席了启用典礼。 台积电不仅将亚利桑那州厂一期工程量产技术由原先规划的五奈米调整为四奈米，并且还在同一天宣布将投资设立第二个厂生产三奈米晶片，总投资金额提升至400亿美元。此外，台积电还外派工程师赴美支援。这引发了“去台化”和掏空台湾的疑虑。

美国的白宫经济委员会12月5号周一傍晚进行背景简报，经济委员会主席迪斯（Brian Deese）告知媒体，台积电做出两项重大宣布。第一，台积电将在现有厂房附近，兴建一座三奈米晶圆厂，预计2023年动工，2026年开始量产。这将把台积电对亚利桑那州的投资从120亿美元大幅提升到400亿美元。第二，台积电将宣布升级原本的五奈米厂成为四奈米厂。 白宫国家经济委员会副主席，主管产业政策与芯片法案实施的恰特吉（Ronnie Chatterji）说，台积电的宣告“从各方面都是历史性的”(historic in every way)。他解释说，从个人电脑、手机，到超级电脑、人工智能，都需要尖端芯片，而台积电这两间工厂在竣工之后，年产量将足以供应全美需求。与此同时，这也带动了大学与台积电的建教合作。