中芯7奈米技术遭质疑 专家：中共谎称自主造芯

中国最大半导体公司中芯国际7月宣布跨越7奈米节点，令世界大感意外。然而，细究中芯国际所采用的制程以及中共试图引进先进光刻机的历史，反映出中共一再宣称的“自主造芯”将面临极大的困难。

《金融时报》16日发表题为“芯片上的突破暴露中国的战略两难”的文章，提到中芯国际取得了一个突破，开始向客户交付7奈米芯片。文章指，该公司会愿意投入多少时间和资金来量产这种芯片？

起因是美国禁止荷兰ASML公司向中国出口极紫外线光刻机（EUV），采用这种光刻机只需曝光一次就能把集成电路图形印在晶圆表面上。中芯国际无法取得EUV光刻机，它只能使用深紫外线光刻机（DUV），这种设备比EUV落后一代，需通过三、四回制图来制成7奈米芯片。

一名专职IC设计的台湾半导体专案经理人廖先生18日告诉大纪元，芯片是由极精密的电路所构成，工程师在完成好电路设计时，将所设计图形曝光在晶圆上，越先进的芯片，图形就越细密，当细密到已经超过机台的极限时，有人想到将图形拆成三或四份，重复曝光三到四次，再把它拼起来，这种做法对机台的要求就没那么高。所以比EUV落后一代的DUV就拿来顶着用。

“但是，每次曝光可能会有所偏移，线路间也不会对得这么好，跟只曝光一次的EUV相比，良率就比较差。虽然勉强可以做出来7奈米，可以跟上面交代，但是真的要量产，就会遇到困难。为了筛出有良率的芯片，光跑测试机台就要花很多钱，成本很高，所以只能少量生产。”廖先生说。

台湾中央大学经济系教授邱俊荣8月17日告诉大纪元，“先进制程的芯片最重要的就是良率，良率不高，再加上它没有成本优势，对于台湾和韩国的先进制程芯片来说，完全不构成威胁，大概也只是宣誓意义比较大一些，对于未来要做更高阶的芯片，几乎没有太多的可能性。”

2019年5月，美国宣布对华为制裁，随后并将制裁范围从芯片扩展到更多领域，包括限制先进的EUV光刻机卖给中国，中芯国际此前预购的一台EUV也被中断。

事实上，西方一直控制对中国输出光刻机。2019年底，武汉弘芯被曝进口一台能造出7奈米的EUV光刻机，但没想到入厂不到1个月后就被抵押进银行，武汉弘芯还被爆出是“千亿芯片大骗局”。而这台光刻机是在媒体上有据可查的唯一一台中共进口过的EUV光刻机。

邱俊荣告诉大纪元，武汉弘芯其实是中国发展半导体产业的一个缩影，在中国是普遍现象，“它基本上一开始就是一个空壳子，根本没有完整的营运计划，其背后的思维就是觉得只要砸钱，就可以把整个营运建立起来，但事实上它是完全没有办法的，到最后就都是以烂尾收场。”