三星率先量产3纳米芯片 确保良率和客户成关键

在晶圆代工市场炽热的竞争中，三星6月30日抢先宣布，量产最先进的3纳米芯片。韩国舆论指，这为三星追击台积电奠定基础，但关键是要确保良率和客户。

三星电子6月30日正式宣布，开始采用全环绕栅极（GAA, Gate-All-Around）技术量产3纳米（nm）芯片。3纳米是半导体制造工程中最先进的技术，而目前使用新一代GAA技术的3纳米工艺，在全球代工企业中只有三星电子一家。

GAA技术可以更好地控制电流走向，提高效率。此前，晶圆代工的全球龙头企业台积电（TSMC）曾宣布将于今年下半年量产3纳米芯片，计划2025年上半年从2纳米工艺开始引入GAA技术。

三星介绍，与传统的5纳米芯片相比，新研发的3纳米制程能降低高达45%的功耗，提升23%的性能，并减少16%的面积。1纳米相当于10亿分之1米，代表芯片电路的线宽。线宽越小，在一张晶圆（薄而圆的硅板）内就会生产出更多芯片，从而能够提高生产效率和收益性。

三星电子计划将3纳米制程工艺优先应用于高性能计算（HPC）芯片，再扩大至移动系统芯片（SoC）等。

三星电子曾宣布，将在今年上半年量产基于GAA技术的3纳米制程产品。今年5月20日美国总统拜登访问韩国时，首站参观三星电子平泽工厂时，三星掌门人李在镕（Lee Jae-Yong）曾向其介绍了3纳米芯片晶圆，拜登和韩国总统尹锡悦还在3纳米制程晶圆的试制品上签了字，引发外界关注。

期间，由于没有有关三星正式实现量产3纳米芯片的消息，外界曾猜测三星可能因技术问题或者确保客户问题，上半年很难实现3纳米量产。但是，三星最终赶在上半年的最后一天6月30日正式宣布量产3纳米芯片。

韩国舆论认为，三星作为晶圆代工领域的后起之秀，能够采用GAA技术量产3纳米，在技术上占据优势，意义重大，为追击台积电奠定基础。不过，关键的问题还是良率（合格产品比率）问题。尽管三星率先宣布实现3纳米量产，但如果因良率不稳定，导致不能及时供货，将无法获得客户的信任，很难确保更多的客户。此前，在4纳米工艺上，三星电子的良率曾被指出现问题，导致失去高通（Qualcomm）等核心客户。

目前在晶圆代工市场占据第二位的三星与台积电拉开距离。据全球市场调查企业Trend Force的数据，三星电子在晶圆代工市场的占有率，从去年第四季度的18.3%下降到今年第一季度的16.3%。而台积电同期的占有率从52.1%提高到53.6%。两公司去年市场的占有率差距从第四季度的33.8%，扩大到今年第一季度的37.3%。